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普通藍(lán)光LED燈珠芯片是在藍(lán)寶石基板上制作的。由于GaN類半導(dǎo)體和藍(lán)寶石的晶格常數(shù)不同,容易出現(xiàn)被稱為位錯的結(jié)晶缺陷。但是GaN基板幾乎沒有晶格常數(shù)的差異,所以很難出現(xiàn)結(jié)晶缺陷。與藍(lán)寶石基板產(chǎn)品相比,位錯密度可降至1/1000左右。
紫光LED燈珠芯片不容易出現(xiàn)光效下降(droop)的問題。光效下降是為了提高發(fā)光強(qiáng)度,增加驅(qū)動電流密度,導(dǎo)致發(fā)光效率下降,也是提高亮度的主要問題。而且GaNonGaN產(chǎn)品的晶體質(zhì)量較高,與藍(lán)寶石基板產(chǎn)品相比,不易出現(xiàn)光效下降的問題。因此,與藍(lán)寶石基板產(chǎn)品相比,GaN基板產(chǎn)品可以將電流密度提高到5~10倍。
以上是紫光led燈珠獲得白光led燈珠的兩個優(yōu)點(diǎn):提高發(fā)光效率和高顯光指數(shù)。
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